575.【台股美股提款機】晶圓代工產業：消費性市場疲軟無礙需求上修，2027 持續供不應求

財報狗 · 2026-11-03

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晶圓代工新賽局：從AI獨撐到全面供不應求，HBM Base Die與成熟製程的雙重革命

台積電第三季財報顯示AI與消費性市場走勢嚴重分歧，HPC部門年增83%的強勁表現完全掩蓋了手機市場的疲軟。展望未來，HBM Base Die將從2027年起成為先進製程的全新需求驅動力，而AI伺服器配套晶片需求外溢，更讓成熟製程意外迎來供不應求的榮景，徹底改變了晶圓代工產業的傳統週期。

消費性市場疲軟下的雙面刃：台積電財報揭露的提前拉貨效應與部門分歧

從整體金元代工產業的概況來看，我們習慣將其劃分為先進製程與成熟製程兩大區塊。然而，台積電第三季的財報卻揭示了一個看似矛盾卻又合情合理的現象：整體業績極佳，但並非所有部門都表現良好。深入拆解後可以發現，消費性市場的疲軟完全符合年初的預期，其關鍵在於上半年的「提前拉貨」效應。

由於記憶體等關鍵零組件價格狂漲，客戶為了鎖定較低的成本，在上半年便提前大量備貨。這種提前拉貨的動能不可能長期持續，因此到了下半年，消費性電子的需求便開始顯著向下修正。這也解釋了為何台積電的財報中，手機部門的營收年增率從上半年的19%大幅萎縮至第三季的4.3%，幾乎接近持平，與上半年高成長的表現形成強烈對比。

相較之下，高效能運算（HPC）部門的表現則極為驚人。該部門第三季的營收年增率高達83%，遠優於上半年的46%。這顯示AI相關的運算需求不僅沒有減弱，反而在持續加速。正是因為AI的成長力道太過強勁，才得以完全掩蓋消費性電子部門的疲軟，讓台積電的整體財報依然亮眼。

HBM Base Die：從DRAM廠自製到台積電3奈米的關鍵戰場

展望2027至2028年，除了現有的AI運算晶片與CPU需求外，HBM的Base Die（基礎晶片）將成為推動先進製程需求的另一大驅動力。HBM的結構是由多層DRAM垂直堆疊，並在最底層加上一層Base Die作為與GPU或ASIC溝通的訊號傳輸介面。這顆Base Die本質上是一顆邏輯晶片，而非記憶體。

在HBM1至HBM3的時代，Base Die多由DRAM廠（如美光、三星、SK海力士）使用自家DRAM製程製造。然而，隨著AI系統對傳輸速率、功耗以及邏輯功能整合的要求越來越高，DRAM廠的製程已不敷使用。從HBM4開始，美光與SK海力士已轉向採用台積電的12奈米製程來生產Base Die。

更值得關注的是，輝達已明確要求下一代HBM的Base Die必須採用台積電的3奈米製程，以滿足其未來平台（如Rubin Ultra）的系統需求。這種跳躍式的製程升級（從12奈米直接跳至3奈米）顯示，Base Die的功能複雜度與重要性正在急速上升，這將為台積電的先進製程帶來全新的龐大市場。

需求測算：NVIDIA的Base Die將佔據台積電3奈米產能逾10%

在2025年以前，台積電的先進製程與HBM市場幾乎毫無關聯，但從今年開始，情況已徹底改變。根據測算，若單純只看輝達一家的需求，其HBM Base Die在2027年每月將耗用約2.7萬片12吋晶圓，到2028年更將成長至每月3.8至3.9萬片。

對比台積電3奈米在2027年預估約19萬片的月產能，光是輝達的Base Die需求就佔了超過10%的比重。雖然初期導入速度可能不會太快，但預估到2028年，Base Die將佔3奈米需求的3%以上，而至2029年全面導入後，更將穩定佔據10%以上的產能。

這項新增需求將徹底改變先進製程的週期。過往當最新製程（如2奈米）量產後，上一代製程（如3奈米）的需求通常會開始下滑。然而，由於HBM Base Die等新興應用的出現，即使2奈米問世，3奈米的需求在2027至2029年仍將持續強勁成長，這與過往的歷史經驗截然不同。

三星的逆襲：以4奈米Base Die搶佔HBM4先機

在Base Die轉由專業晶圓代工廠製造的趨勢中，三星成為了台積電之外的另一大要角。過去幾年，三星在HBM市場的發展落後於SK海力士，甚至一度被美光超越。然而，在HBM4世代，三星做出了一個極具遠見的決策：當競爭對手採用台積電12奈米時，三星直接讓自家邏輯部門以4奈米製程生產Base Die。

這項策略大獲成功。由於輝達在開發過程中不斷上調HBM4的傳輸速率規格，三星的4奈米Base Die成為唯一能立即符合新要求的解決方案，讓其在驗證與出貨上搶得先機。這使得三星的HBM4供貨比重在今年下半年大幅上升，甚至有望與SK海力士平起平坐，從落後者一躍成為領先群。

雖然輝達後續可能要求三星也轉用台積電的3奈米，但對於Google、超微或Amazon等其他HBM用戶而言，在台積電產能滿載的情況下，三星的4奈米製程仍是一個極具吸引力的替代選擇，這將持續挹注三星晶圓代工部門的營運動能。

成熟製程的供給變革：從產能轉換到AI需求外溢

轉向成熟製程方面，年初市場普遍擔憂消費性電子需求疲軟將壓抑下半年的成長動能。然而，目前看來成熟製程不僅未受影響，反而更加強勁。第一個關鍵因素是供給面的減少：由於先進製程嚴重供不應求，台積電與三星紛紛將部分原本用於成熟製程的廠房與產線，轉換為先進製程產能，導致成熟製程的供給在不知不覺中變相減少。

這種供給緊縮的趨勢在下半年更為加劇，因為AI開始實實在在地帶動成熟製程的需求。伺服器所需的配套晶片，如電源管理IC、光通訊晶片及各類類比晶片，隨著AI伺服器出貨量的大幅增加而需求暴增。這些新需求不僅填補了消費性電子下滑的缺口，甚至還綽綽有餘。

以世界先進為例，雖然其驅動IC業務因面板需求下滑而受創，但電源管理IC業務卻因伺服器需求而供不應求，甚至需要將驅動IC的產能轉換來填補。這種現象不僅發生在世界先進，包含中芯國際、格芯、英飛凌及德州儀器等業者都出現類似情況，顯示AI對成熟製程的拉動已是全面性的現象。

CoWoS中介層外溢效應：成熟製程迎來全面供不應求的黃金時代

除了伺服器配套晶片外，CoWoS先進封裝中的矽中介層（Interposer）也成為成熟製程的另一大需求來源。雖然被稱為先進封裝，但矽中介層實際上使用的是約65奈米等級的成熟製程。隨著AI晶片需求爆發，台積電的CoWoS產能嚴重供不應求，導致需求開始外溢至二線晶圓代工廠。

例如，聯電已預期其矽中介層代工業務將在2027年開始貢獻明顯營收。此外，台積電近期也與美國的格芯（GlobalFoundries）簽訂了為期五年、總金額約20億美元的合作協議，委外生產CoWoS的矽中介層。這顯示AI的受惠者已不再侷限於台積電或先進製程，而是逐步擴散至整體晶圓代工產業。

綜合來看，成熟製程在下半年已轉向量價齊揚的供不應求狀態。AI帶來的額外需求成長，不僅足以抵消消費性電子的疲軟，更讓成熟製程的動能至少可延續至明年上半年。這種先進製程與成熟製程同步強勁的現象，使得整個晶圓代工產業在2027年前都將呈現普遍性的供不應求。

儘管目前市場給予二線成熟製程廠商較高的估值（PE），但若深入分析成長性，台積電的成長潛力可能被市場低估。雖然其營收基期極高，但受惠於HBM Base Die、CPU及AI運算晶片等新需求的疊加，其明年的成長力道未必會輸給基期較低的二線同業。

結論

晶圓代工產業正經歷一場結構性的質變。AI的強勁需求不僅讓先進製程的供不應求延續至2028年以後，更透過HBM Base Die的邏輯化與CoWoS中介層的外溢效應，將成熟製程也帶入了全面供需吃緊的格局。消費性市場的疲軟在AI的洪流下顯得微不足道，而台積電在先進與成熟製程兩端都佔據了最有利的戰略位置，其成長性與估值之間的落差，或許正是市場尚未完全定價的潛在機會。